电阻法大尺寸SiC晶体生长装备
UK-T6
UK-T8
6吋电阻法碳化硅晶体生长装备UK-T6
1、完善解决了感应炉径向温度梯度大的手艺难点，可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控，晶体内部缺陷少， 良率高、重复性好；2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比，UKING ERH SiC RV4.0装备晶体生长速率更快，整个历程可控制在7天之内；3、 自动化水平高，操控简朴，有利于批量生产，提高晶体生长效率和稳固性。
审查参数>
8吋电阻法碳化硅晶体生长装备UK-T8
1、完善解决了感应炉径向温度梯度大的手艺难点，可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控，晶体内部缺陷少， 良率高、重复性好；2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比，UKING ERH SiC RV1.0装备晶体生长速率更快，整个历程可控制在7天之内；3、 自动化水平高，操控简朴，有利于批量生产，提高晶体生长效率和稳固性。
审查参数>
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温度梯度控制优势
esb世博网科技依附多年的工艺手艺履历，精准控制热场温度，确保晶体在生长历程中获得最佳温度梯度，提高了晶体的生长效率，还显著降低了生产成本。 -
籽晶粘接优势
公司奇异的籽晶处置赏罚手艺，镌汰了籽晶装配历程中人为因素对粘接的影响，提高粘接的乐成率，解决了晶体生长历程中籽晶烧穿等问题。 -
综合成本优势
公司研发的电阻法碳化硅晶体生长装备配合晶体生长工艺，在确保品质的条件下，原质料使用率高，提升晶体厚度。
esb世博网的解决方案
UKING SOLUTIONS
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发烧部件
石墨加热器
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热场结构
PVT石墨热场
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温度梯度
容易调治
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晶体生长界面
靠近平面
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晶体使用率
高
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晶体应力
应力较低
易加工
提高下游制程良率 -
6-8寸晶体生长
兼容
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单元晶片成本
低
电阻法大尺寸SiC晶体生长装备产物
6吋碳化硅晶体
8吋碳化硅晶体
6吋碳化硅晶体
碳化硅作为全球先进的第三代半导体质料，具有高热导率、高击穿电场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等特征，碳化硅功率器件在耐高压、高频、高温以及大功率应用中具有显著优势。
8吋碳化硅晶体
碳化硅作为全球先进的第三代半导体质料，具有高热导率、高击穿电场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等特征，碳化硅功率器件在耐高压、高频、高温以及大功率应用中具有显著优势。
碳化硅晶体生长历程
碳化硅晶体质料是种由碳和硅元素组成的宽禁带化合物半导体质料，其生产条件需要在2250°C以上的高温顺靠近真空的低压情形下，使固态质料升华，并在高温顺浓度梯度的作用下，一连将碳、硅原子传输至位于石墨坩埚顶端的籽晶周围，举行晶体生长。
1.
碳化硅颗粒
Si+C=SiC
在晶体生长历程中，碳化硅（SiC）质料的粒度和纯度都市直接影响晶体质量。
2.
籽晶处置赏罚
奇异的籽晶粘接手艺
籽晶粘接是晶体生长历程中的要害环节之一。为了获得高品质的晶体，公司接纳奇异籽晶处置赏罚工艺，知足高质量晶体生长要求。
3.
Uking电阻法
SiC晶体生长手艺
在晶体生长历程中，通过精准控制热场温度和气氛来保证晶体生长的可靠性和稳固性。
碳化硅晶体检测陈诉
接纳UKING电阻法碳化硅晶体生长装备生长的SiC晶体，其微管密度、位错密度和电阻率等指标均到达行业尺度。
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