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1、完善解决了感应炉径向温度梯度大的手艺难点，可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控，晶体内部缺陷少， 良率高、重复性好；

2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比，UKING ERH SiC RV1.0装备晶体生长速率更快，整个历程可控制在7天之内；

3、 自动化水平高，操控简朴，有利于批量生产，提高晶体生长效率和稳固性。